TrendForce指出，HBM4預計規劃於2026年推出，目前包含NVIDIA以及其他CSP（雲端業者）在未來的產品應用上，規格和效能將更優化。
受到規格更往高速發展帶動，將首次看到高頻寬記憶體（HBM）最底層的Logic die（又名Base die），採用12nm製程wafer，該部分將由晶圓代工廠提供，使得單顆HBM產品，需要結合晶圓代工廠與記憶體廠的合作。
隨著客戶對運算效能要求的提升，HBM4在堆疊的層數上，除了現有的12hi（12層）外，也將再往16hi（16層）發展，更高層數也預估帶動新堆疊方式fybrid bonding的需求。
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HBM4 12hi產品將於2026年推出，而16hi產品則預計於2027年問世。
TrendForce觀察，針對HBM4，各買方也開始啟動客製化要求，除了HBM可能不再僅是排列在SoC主晶片旁邊，亦有部分討論轉向堆疊在SoC主晶片之上。
雖然目前所有選項仍在討論可行性中，並尚未定案，但TrendForce認為，未來HBM產業將轉為更客製化的角度發展，相比其他DRAM產品，在定價及設計上，更加擺脫通用型（Commodity）DRAM的框架，呈現特定化的生產。
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來源鏈接：https://www.chinatimes.com/newspapers/20231128000200-260204